미국 마이크론이 지난해에 이어 올해에도 D램 생산능력 확대에 적극적으로 나설 것으로 전망된다. 미국 정부로부터 확정한 막대한 보조금을 기반으로, 최근 기존 D램 공장의 전환 투자 계획을 구체화했다.

5일 업계에 따르면 마이크론은 지난해 말 미국 버지니아주 매나사스 지역에 최대 21억7천만 달러(한화 약 3조1천900만원)을 투자한다고 발표했다.

마이크론의 매나사스 반도체 공장은 2000년대 초반부터 가동을 시작한 메모리 공장이다. 이후 지난 2018년 신규 라인 및 R&D 센터 건립에 대한 투자가 진행됐으며 약 7년만에 추가 투자가 이뤄지게 됐다.

마이크론은 이번 투자로 기존 매나사스 팹의 설비를 최신화하고 자동차, 항공우주, 방위 등 특수 산업을 위한 첨단 D램을 양산할 계획이다. 다만 마이크론은 구체적인 전환 투자 계획, 증가하는 생산능력 규모 등에 대해서는 언급하지 않았다.

미국 상무부는 해당 투자에 총 2억7천500만 달러를 지원할 예정이다. 미 상무부와 마이크론은 지난해 12월 이 같은 내용의 예비거래각서를 체결한 바 있다.

동시에 마이크론은 아이다호주와 뉴욕주에서도 D램 생산능력 확대를 위한 투자를 진행하고 있다. 뉴욕에는 약 1천억 달러, 아이다호주에는 250억 달러를 투입한다. 미국 상무부는 해당 투자에 대해 61억6천500만 달러 규모의 반도체 보조금을 지급하기로 확정했다.

미국은 마이크론을 앞세워 자국 내 메모리 공급망 강화에 적극 나서고 있다. 미 상무부는 "마이크론의 투자로 오는 2035년까지 미국이 첨단 메모리 칩 제조 시장에서 차지하는 비중이 2% 미만에서 약 10%로 늘어날 것"이라고 밝히기도 했다.

대만 지역에서는 HBM(고대역폭메모리) 생산능력 확대에 초점을 맞추고 있다. 마이크론은 지난해 8월 대만 AUO로부터 타이중과 타이난에 위치한 2개 공장을 81억 대만달러(약 3천500억원)에 인수하고, 해당 공장을 HBM 등 최첨단 산업을 위한 D램 라인으로 전환하기로 했다.

삼성전자, SK하이닉스 등 국내 기업들도 최선단 D램 및 HBM 생산능력 확대를 위한 투자를 진행하고 있다.

삼성전자는 지난해부터 평택 P2·P3 라인과 화성 15·16라인 등에서 기존 레거시(성숙) D램을 1b(5세대 10나노급) D램으로 전환하기 위한 투자를 진행하고 있다. 차세대 제품인 1c(6세대 10나노급) D램의 양산 라인 구축도 최근 시작됐다.

SK하이닉스는 지난해부터 이천 M14·M16 등에서 1a 및 1b D램을 위한 전환 투자를 진행해 왔다. 특히 M16 팹의 경우 하부층 투자가 대부분 마무리돼, 상부층에 대한 투자 논의가 오가고 있는 것으로 알려졌다.