중국 D램 업체인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 기술 개발에 박차를 가하고 있다.

대만 매체 디지타임스는 CXMT가 2027년 HBM3E(5세대) 시장 진입을 노린다고 18일 보도했다.

회사는 2025년 내 HBM3 샘플을 출시하고, 2026년에는 양산 체제를 구축한 후 HBM3E로 진입할 계획이다.

다만 미국 상무부의 첨단 장비 수출 제한이 변수가 될 전망이다. 고도화된 EUV, 식각장비, TSV(실리콘관통전극) 공정 등이 타깃이 되면서 CXMT와 중국 전체가 여전히 장비 확보에 어려움을 겪고 있다.

한편, CXMT는 DDR4 생산을 조만간 종료하고 DDR5, HBM 등 고부가 제품을 강화한다. DDR4는 2026년 중반 이후 점진적으로 생산을 끝낼 계획이다. DDR5의 경우 생산 비중을 연내 전체 D램의 60% 이상으로 확대하겠다는 목표다.

하지만 기술적인 난관도 존재한다. CXMT DDR5 샘플 일부는 고온(60°C) 조건에서 불안정성을 보였으며, 수율 또한 업계 기준에 비해 낮은 수준으로 평가된다.

반면, 삼성전자와 SK하이닉스는 HBM3E 개발을 한층 앞서 진행 중이다. SK하이닉스는 HBM3E 관련 설비를 확대해 인증을 준비하고 있으며, 삼성전자는 엔비디아 인증 절차 중 일부에서 지연을 겪기도 했지만 재도전 중이다.