삼성전자 메모리 사업이 수익성 부진을 겪고 있다. 고부가 메모리 공급량 감소, 첨단 파운드리 및 시스템반도체 수요의 감소가 겹친 데 따른 영향이다.

이에 삼성전자는 HBM3E 12단 및 고용량 DDR5 제품으로 AI 시장 공략을 가속화할 계획이다. 또한 커스텀 HBM4 및 HBM4E 상용화 준비를 위해 복수의 고객사와 협의를 이어가고 있는 것으로 알려졌다.

30일 삼성전자는 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "HBM3E 개선품은 샘플 공급을 완료해 2분기부터 점진적으로 판매 기여 폭이 증가될 것"이라며 "HBM4의 경우 고객사 과제 일정에 맞춰 하반기 양산 목표로 개발을 진행 중"이라고 밝혔다.

삼성전자의 지난 1분기 DS(반도체) 부문 매출은 25조1천억원, 영업이익은 1조1천억원으로 집계됐다. 매출은 전년동기 대비 증가했으나, 영업이익은 43%가량 감소했다.

주요 원인은 HBM 등 고부가 제품의 판매 위축에 있다. 지난해 하반기까지 이어진 중국향 HBM 판매가 미국의 첨단 반도체 수출 규제로 차질을 빚었으며, HBM3E 12단 리비전(개선) 제품 개발에 따른 수요 공백이 발생했다.

'엑시노스 2500' 등 신규 모바일 AP(애플리케이션 프로세서)의 상용화 지연, 파운드리 전반의 부진 등도 영향을 끼쳤다.

이에 삼성전자는 2분기 HBM3E 12단 개선 제품의 초기 수요 대응을 확대할 계획이다. 또한 첨단 영역에 속하는 8세대 낸드의 생산 전환을 가속화한다.

나아가 하반기에는 AI 서버 및 온디바이스 AI 시장을 집중 공략한다. HBM3E 12단 개선 제품 및 128GB 이상 고용량 DDR5 판매를 확대하며, 10.7Gbps LPDDR5x 등 고사양 제품을 늘릴 계획이다.

커스텀 HBM4 및 HBM4E는 복수의 고객사들과 과제를 협의하고 있다.

삼성전자는 "HBM4와 커스텀 HBM4는 2026년부터 판매에 기여할 것으로 기대된다"며 "HBM4 및 HBM4E 고객사 수요 대응을 위해 필요한 투자를 지속 집행해나가고 있다"고 말했다.

시스템LSI의 경우, 올 2분기 주요 고객사 플래그십 제품향으로 엑시노스 2500 공급 확대에 나선다. 삼성전자는 올 3분기 공개되는 '갤럭시Z' 시리즈 일부에 엑시노스 2500를 탑재하는 방안을 추진 중인 것으로 알려졌다.

파운드리는 차세대 공정으로 꼽히는 2나노 공정에 주력한다. 삼성전자는 올해 하반기 1세대 2나노 공정인 'SF2' 양산을 목표로 하고 있다. 현재 국내 리벨리온과 딥엑스, 일본 PFN 등을 고객사로 확보한 상황이다.